超细碳化硅杂质含量

半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值 ...

研究结果表明:水流分级得到SiC微纳米粉体纯度98.42%,中位粒径为0.404μm的微纳米粉体材料,比表面积由0.8879m~2/g提高到8.0321m~2/g,高能冲击磨得到碳化硅微纳米粉体纯摘要：. 碳化硅 (SiC)陶瓷具有高熔点,高硬度,耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一.反应烧结碳化硅 (RBSC)材料可以作为密封件,热交换器件和喷嘴等材料.但是由于普超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 ...2023年10月27日研究结果表明通过控制碳粉和硅粉中的杂质含量可以将 B、Fe、Al、Cu、P 等杂质控制在 1 × 10 － 6以下，合成的高纯 SiC 粉体纯度高达 99． 999% 。在众多杂质中，N 元素的含量一直居高不下，只碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详

9月1日起，高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标 ...

2019年9月2日高纯碳化硅微量元素的测定（gb/t37254-2018）规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱（icp-oes）法和电感耦合等离子体质谱（icp-ms）法测定高纯碳化硅中微量元素含量的方法。摘要: 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社近年来，在高新技术领域发展起来的超细碳化硅粉体制备的方法，主要归为三种：固相法、液相法和气相法。固相法主要包括以下几种：碳热还原法、 Si与C直接反应法（包括高温超细碳化硅粉体的制备及应用简介 - 360powder

碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International ...

实验结果表明，Acheson法制备的SiC粉体中O、游离Si、游离C、Fe杂质含量较高，其他微量杂质元素含量顺序为：Ti>Al>Ni> V.此外，O杂质主要以非晶SiO 2的形式覆盖在SiC颗粒碳化硅粉体在经过超细粉碎加工后，不可避免地会带有许多杂质，这些杂质主要由两个方面的原因产生，一是由于冶炼生产过程中，不可避免地会有亚微米碳化硅超细粉体的制备及破碎机理探讨2019年9月12日高纯碳化硅微量元素的测定(gb/t37254-2018)规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱(icp-oes)法和电感耦合等离子体质谱(icp-ms)法测定高纯碳化硅中微量元素高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标GB/T37254-2018 ...